一般来说为了评价剖析电子产品可靠性而进行的试验称为可靠性试验 ，是为预测从产品出厂到其使用寿命结束期间的质量情况 ，选定与市场情况相似度较高的情况应力后 ，设定情况应力水平与施加的时间 ，主要目的是尽可能在短时间内 ，正确评估产品可靠性。
产品设计成型后 ，必须对产品进行可靠性试验 ，产品可靠性试验是引发潜在失效模式 ，提出革新步伐 ，确定项目或系统是否满足预先制定的可靠性要求的必须办法。可靠性试验的基来源理如图。
可靠性试验是为了确定已通过可靠性鉴定试验而转入批量生产的产品在划定的条件下是否抵达划定可靠性要求 ，验证产品的可靠性是否随批量生产期间工艺 ，工装 ，事情流程 ，零部件质量等因素的变革而降低。只有经过这些 ，产品性能才是可以信任的 ，产品的质量才是过硬的。
电子产品可靠性试验目的通常有如下几方面：
1、在研制阶段用以袒露试制产品各方面的缺陷 ，评价产品可靠性抵达预定指标的情况；
2、生产阶段为监控生产历程提供信息；
3、对定型产品进行可靠性鉴定或验收；
4、袒露和剖析产品在差别情况和应力条件下的失效纪律及有关的失效模式和失效机理；
5、为革新产品可靠性 ，制定和革新可靠性试验计划 ，为用户选用产品提供依据。
电子产品可靠性试验的要领及分类：
一、如以情况条件来划分 ，可分为包括种种应力条件下的模拟试验和现场试验；
二、以试验项目划分 ，可分为情况试验、寿命试验、加速试验和种种特殊试验；
三、若按试验目的来划分 ，则可分为筛选试验、鉴定试验和验收试验；
四、若按试验性质来划分 ，也可分为破坏性试验和非破坏性试验两大类。
通常习用的分类法 ，是把可靠性试验归纳为五大类:
A. 情况试验B.寿命试验C.筛选试验D.现场使用试验E.鉴定试验
一、情况试验
部分可靠性专著把样品置于自然或人工模拟的贮存、运输和事情情况中的试验统称为情况试验 ，是考核产品在种种情况（振动、攻击、离心、温度、热攻击、潮热、盐雾、低气压等）条件下的适应能力 ，是评价产品可靠性的重要试验要领之一。一般主要有以下几种：
1、稳定性烘培 ，即高温存储试验
试验目的：考核在不施加电应力的情况下 ，高温存储对产品的影响。有严重缺陷的产品处于非平衡态 ，是一种不稳定态 ，由非平衡态向平衡态的过渡历程既是诱发有严重缺陷产品失效的历程 ，也是促使产品从非稳定态向稳定态的过渡历程。
这种过渡一般情况下是物理化学变革 ，其速率遵循阿伦尼乌斯公式 ，随温度成指数增加．高温应力的目的是为了缩短这种变革的时间．所以该实验又可以视为一项稳定产品性能的工艺。
试验条件：一般选定一恒定的温度应力和坚持时间。微电路温度应力规模为75℃至400℃ ，试验时间为24h以上。试验前后被试样品要在标准试验情况中 ，既温度为25土10℃、气压为86kPa~100kPa的情况中安排一准时间。大都的情况下 ，要求试验后在划定的时间内完成终点测试。
2、温度循环试验
试验目的：考核产品蒙受一定温度变革速率的能力及对极端高温和极端低温情况的蒙受能力．是针对产品热机械性能设置的。当组成产品各部件的质料热匹配较差 ，或部件内应力较大时 ，温度循环试验可引发产品由机械结构缺陷劣化爆发的失效。如漏气、内引线断裂、芯片裂纹等。
试验条件：在气体情况下进行。主要是控制产品处于高温和低温时的温度和时间及崎岖温状态转换的速率。试验箱内气体的流通情况、温度传感器的位置、夹具的热容量都是包管试验条件的重要因素。
其控制原则是试验所要求的温度、时间和转换速率都是指被试产品 ，不是试验的局部情况。微电路的转换时间要求不大于1min在高温或低温状态下的坚持时间要求不小于10min；低温为-55℃或-65-10℃ ，高温从85+10℃到300+10℃不等。
3、热攻击试验
试验目的：考核产品蒙受温度剧烈变革 ，即蒙受大温度变革速率的能力。试验可引发产品由机械结构缺陷劣化爆发的失效．热攻击试验与温度循环试验的目的基本一致 ，但热攻击试验的条件比温度循环试验要严酷得多。
试验条件：被试样品是置于液体中。主要是控制样品处于高温和低温状态的温度和时间及崎岖温状态转换的速率。试验箱内液体的流通情况、温度传感器的位置、夹具的热容量都是包管试验条件的重要因素。
其控制原则与温度循环试验一样 ，试验所要求的温度、时间和转换速率都是指被试样品 ，不是试验的局部情况。微电路的转换时间要求不大于lo ，：转换时被试样品要在5 min内抵达划定的温度；在高温或低温状态下的停留时间要求不小于2 min；崎岖温条件分为三档 ，A档为0+2-10℃~100+10-2℃ ，B档为一55”llc～125+10℃ ，c档为-655,0℃一150+10℃．A档一般用水作载体 ，B档和C档用过碳氟化合物作载体。作载体的物质不得含有氯和氢等腐化性物质或强氧化剂物质。
4、低气压试验
试验目的：考核产品对低气压事情情况(如高空事情情况)的适应能力。当气压减小时空气或绝缘质料的绝缘强度会减弱；易爆发电晕放电、介质损耗增加、电离；气压减小使散热条件变差 ，会使元器件温度上升。这些因素都会使被试样品在低气压条件下丧失划定的功效 ，有时会爆发永久性损伤。
试验条件：被试样品置于密封室内 ，加划定的的电压 ，从密封室降低气压前20min直至试验结束的一段时间内 ，要求样品温度坚持在25+-1.0℃的规模。密封室从常压降低到划定的气压再恢复到常压 ，并监视这‘历程中被试样品能否正常事情 ，微电路被试样品所施加电压的频率在直流到20MHz的规模内 ，电压引出端泛起电晕放电被视为失效。试验的低气压值是与海拔高度相对应的 ，并分若干档．如微电路低气压试验的A档气压值是58kPa ，对应高度是4572m ，E档气压值是1.1kPa ，对应高度是30480m等等。
5、耐湿试验
试验目的：以施加加速应力的要领评定微电路在湿润和炎热条件下抗衰变的能力 ，是针对典范的热带气候情况设计的。微电路在湿润和炎热条件下衰变的主要机理是由化学历程爆发的腐化和由水汽的浸入、凝露、结冰引起微裂缝增大的物理历程。试验也考核在湿润和炎热条件下组成微电路质料爆发或加剧电解的可能性 ，电解会使绝缘质料电阻宰爆发变革 ，使抗介质击穿的能力变弱。
试验条件：潮热试验有两种 ，即文变潮热试验和恒定潮热试验。交受潮热试验要求被试样品在相对湿度为90％～100％的规模内 ，用一定的时间(‘般2．5h)使温度从25℃上升到65℃ ，井坚持3h以上；然后再在相对湿度为80％一100％的规模内 ，用一定的时间(—般2.5 h)使温度从6s℃下降到25℃ ，再进行一次这样的循环后再在任意湿度的情况下将温度下降到一10 c ，并坚持3h以上‘再恢复到温度为25℃ ，相对湿度即是或大于80％的状态。这就完成了一次文变潮热的大循环 ，约莫需要24h。
一般一次耐湿试验 ，上述交变潮热的大循环要进行10次．试验时被试样品要施加—定的电压。试验箱内每分钟的换气量要求大于试验箱容积的5倍。被试样品应该是经受过非破坏性引线牢固性试验的样品。
6、盐雾试验
试验目的：以加速的要领评定元器件外露部分在盐雾、湿润和炎热条件下抗腐化的能力 ，是针对热带海边或海上气候情况设计的．外貌结构状态差的元器件在盐雾、湘湿和炎热条件下外露部分会爆发腐化。
试验条件：盐雾试验要求被试样品上差别方位的外露部分都要在温度、湿度及接收的盐淀积速率等方面处于相同的划定条件。这一要求是通过样品在试验箱内安排的相互间的最小距离和样品的安排角度来满足的。
试验温度一般要求为(35+-3)'C、在24h内盐淀积速率为2X104mg／m2~5X104mg／m2。盐淀积速率和湿度是通过爆发盐雾的盐溶液的温度、浓度及流经它的气流决定的 ，气流中氧气和氮气比份要与空气相同。试验时间一般分为24h、48h、96h和240h 4档。
7、辐照试验
试验目的：考核微电路在高能粒子辐照情况下的事情能力。高能粒子进入微电路会使微观结构爆发变革爆发缺陷或爆发附加电荷或电流。从而导致微电路参数退化、爆发锁定、电路翻转或爆发浪涌电流引起烧毁失效。辐照凌驾某一界限会使微电路爆发永久性损伤。
试验条件：微电路的辐照试验主要有中子辐照和γ射线辐照两大类。又分总剂量辐照试验和剂量率辐照试验。剂量率辐照试验都是以脉冲的形式对披试微电路进行辐照的。
在试验中要依据差别的微电路和差别的试验目的严格控制辐照的剂量串和总剂量。不然会由于辐照凌驾界限而损坏样品或得不到要寻求的闽值。辐照试验要有避免人体损伤的宁静步伐。
二、寿命试验
是研究产品寿命特征的要领 ，这种要领可在实验室模拟种种使用条件来进行。寿命试验是可靠性试验中最重要最基本的项目之一 ，它是将产品放在特定的试验条件下考察其失效（损坏）随时间变革纪律。
通过寿命试验 ，可以了解产品的寿命特征、失效纪律、失效率、平均寿命以及在寿命试验历程中可能泛起的种种失效模式。如结合失效剖析 ，可进一步弄清导致产品失效的主要失效机理 ，作为可靠性设计、可靠性预测、革新新产品质量和确定合理的筛选、例行（批量包管）试验条件等的依据。
如果为了缩短试验时间可在不改变失效机理的条件下用加大应力的要领进行试验 ，这就是加速寿命试验。通过寿命试验可以对产品的可靠性水平进行评价 ，并通过质量反响来提高新产品可靠性水平。
寿命试验目的：考核产品在划定的条件下 ，在全历程事情时间内的质量和可靠性。为了使试验结果有较好代表性 ，参试的样品要有足够的数量。
试验条件：微电路的寿命试验分稳态寿命试验、间歇寿命试验和模拟寿命试验。
稳态寿命试验是微电路必须进行的试验 ，试验时要求被试样品要施加适当的电源 ，使其处于正常的事情状态。国家军用标准的稳态寿命试验情况温度为125℃ ，时间为l 000h。加速试验可以提高温度 ，缩短时间。
功率型微电路管壳的温度一般大于情况温度 ，试验时坚持情况温度可以低于125℃．微电路稳态寿命试验的情况温度或管壳的温度要以微电路结温即是额定结温为基点<一般在175℃一200℃之间)进行调解。
间歇寿命试验要求以一定的频率对被试微电路切断或突然施加偏压和信号 ，其它试验条件与稳态寿命试验相同。
模拟寿命试验是一种模拟徽电路应用情况的组合试验。它的组合应力有机械、湿度和低气压四应力试验：机械、温度、湿度和电四应力试验等。
三、筛选试验
筛选试验是一种对产品进行全数检验的非破坏性试验
其目的是为选择具有一定特性的产品或剔早期失效的产品 ，以提高产品的使用可靠性。产品在制造历程中 ，由于质料的缺陷 ，或由于工艺失控,使部分产品泛起所谓早期缺陷或故障 ，这些缺陷或故障若能及早剔除 ，就可以包管在实际使用时产品的可靠性水平。
可靠性筛选试验的特点是：
1、这种试验不是抽样的 ，而是100%试验；
2、 该试验可以提高及格品的总的可靠性水平 ，但不可提高产品的固有可靠性 ，即不可提高每个产品的寿命；
3、不可简单地以筛选淘汰率的崎岖来评价筛选效果。淘汰率高 ，有可能是产品自己的设计、元件、工艺等方面保存严重缺陷 ，但也有可能是筛选应力强度太高。
淘汰率低 ，有可能产品缺陷少 ，但也可能是筛选应力的强度和试验时间缺乏造成的。通常以筛选淘汰率Q和筛选效果β值来评价筛选要领的优劣：合理的筛选要领应该是β值较大 ，而Q值适中。
四、现场使用试验
上述种种试验都是通过模拟现场条件来进行的。模拟试验由于受设备条件的限制 ，往往只能对产品施加简单应力 ，有时也可以施加双应力 ，这与实际使用情况条件有很大差别 ，因而未能如实地、全面地袒露产品的质量情况。
现场使用试验则差别 ，因为它是在使用现场进行 ，故最能真实地反应产品的可靠性问题 ，所获得的数据关于产品的可靠性预测、设计和包管有很高价值。对制定可靠性试验计划、验证可靠性试验要领和评价试验精确性 ，现场使用试验的作用则更大。
五、鉴定试验
鉴定试验是对产品的可靠性水平进行评价时而做的试验。它是凭据抽样理论制定出来的抽样计划。在包管生产者不致使质量切合标准的产品被拒收的条件下进行鉴定试验。
可靠性鉴定试验分两类：一类为产品可靠性鉴定试验 ，一类为工艺(含质料)的可靠性鉴定试验。产品可靠性鉴定试验一般是在新产品设计定型和生产定型时进行。目的是考核产品的指标是否全面抵达了设计要求 ，考核产品是否抵达了预定的可靠性要求。试验的内容一般与质量一致性检验一致 ，既A、B、c、D四组试验都做 ，有抗辐射强度划定产品也做要E组试验。当产品的设计、结构、质料或工艺有重大改变时也要做可靠性鉴定试验。
工艺(含质料)的可靠性鉴定试验用于考核生产线对证料和工艺的选择及控制能力是否能包管所制造的产品的质量和可靠性 ，是否能满足某种质景包管品级的要求。
其他常用的电子产品可靠性试验介绍
恒定加速度试验
该试验目的是考核傲电路蒙受恒定加速度的能力。它可以袒露由微电路结构强度低和机械缺陷引起的失效。如芯片脱落、内引线开路、管壳变形、漏气等。
试验条件：在微电路芯片脱出偏向、压紧偏向和与该偏向笔直的偏向施加大于1 mm的恒定加速度 ，加速度取值规模一般取为49 000m／s：-1 225 000m／sV5 000~125 000z)之间。试验时微电路的壳体应刚性牢固在恒定加速器上。
机械攻击试验
该试验目的是考核微电路蒙受机械攻击的能力。即考核微电路蒙受突然受力的能力。在装卸、运输、现场事情历程中会使微电路突然受力。如跌落、碰撞时微电路会受到突发的机械应力．这些应力可能引起微电路的芯片脱落、内引线开路、管壳变形、漏气等失效。
试验条件：试验时微电路的壳体应刚性牢固在试验台基上 ，外引线要施加�；�。对微电路的芯片脱出偏向、压紧偏向和与该偏向笔直的偏向各施加五次半正弦波的机械攻击脉冲。攻击脉冲的峰值加速度取值规模—般取为4900m／s2~294 000m／s2(500g~30 000g)脉冲连续时间为0.1ms—1.0ms ，允许失真不大于峰值加速度的20％。
机忻魅振动试验
振动试验主要有四种 ，即扫泼魅振动试验、振动疲劳试验。振动噪声试验和随机振动试验。目的是考核微电路在差别振动条件下的结构牢固性和电特性的稳定性。
扫泼魅振动试验使微电路作等幅谐振动 ，其加速度峰值一般分为196 m／s：(20e)、490m／s2(50g)和686m/s2(70g)三档．振动频率从20Hz一2 000Hz规模内随时间校对数变革。振动频率从20Hz~2 000Hz再回到20Hz的时间要求不小于4mm ，并且在相互笔直的三个偏向上(其中一个偏向与芯片笔直)各进行五次。
振动疲劳试验也要使微电路作等幅谐振动 ，可是其振动频率是牢固的 ，一般为几十到几百赫兹 ，其加速度峰值一般也分为196m／s2(20g)、490m／s2(50g)和686m／s2(70g)三档。在相互笔直的三个偏向上(其中一个偏向与芯片笔直)各进行一次 ，每次的时间约莫为32h。
随机振动试验的试验条件是模拟种种现代化现场情况下可能爆发的振动。随机振动的振幅具有高斯漫衍。加速度谱密度与频率的关系是特定的。频率规模为几十到2000Hz。
振动噪声试验的试验条件与扫颇振动试验基内幕同。使微电路作等幅谐振动 ，其加速度峰值一般不小于196m／s2(20g)．振动频率从20Hs一2000Hz规模内随时间按对数变革．振动频率从20Hz一2000Hz再回到20Hz的时间要求不小于4min ，并且在相互笔直的三个偏向上(其中一个偏向与芯片笔直)各进行1次。
可是微电路要施加划定的电压和电流。丈量在试验历程中在划定负载电阻上的最大噪声输出电压是否凌驾了划定值。
键合强度试验
该试验目的是检验微电路封装内部的内引线与芯片和内引线与封装体内外引线端键合强度．分为破坏性键合强度试验和非破坏性键合强度试验．键合强度差的微电路会泛起内引线开路失效。
试验要求在键合线中部对键合线施加笔直微电路；芯片偏向指向芯片反偏向的力 ，施力要从零开始缓慢增加 ，制止攻击力。若设定一个力 ，当施力增加到该力时停止馅力 ，且此力应不大于最小键协力划定值的80％ ，则试验称为非破坏性键合强度试验。
若试验时施力增加到键合断裂时停止 ，称破坏性健合强度试验。健合强度试验目的是对微电路键合性能作批次性评价 ，所以要有足够多的试验样品．非破坏性键合强度试验有时作为筛选试验项目。
芯片附着强度试验
该试验目的是考核芯片与管壳或基片结合的机械强度。芯片附着强度试验有两个 ，即芯片与基片／底座附着强度试验和剪切力试验．前者是考核芯片蒙受笔直芯片脱寓基片／底座偏向受力的能力。后者是考核芯片蒙受平行芯片与基片／底座结合面偏向受力的能力。
试验要求严格控制施加力的偏向 ，且制止攻击力。该试验的判据力与芯片面积成正比 ，且与脱落后界面附着痕迹面积与芯片面积的比值有关．附着痕迹面积小 ，意味着结合性能差 ，判据力要加严。
粒子碰撞噪声检测试验
粒子碰撞噪声检测试验(PIND：Particle Impact Noise Detection)的目的是检验微电路空腔封装腔体内是否保存可动多余物。
可动导电多余物町能导致微电路内部短路失效。试验原理是对微电路施加适当的机械攻击应力使沾附微电路腔体内的多余物成为可动多余物。再同时施加振动应力 ，使可动多余物爆发振动 ，振动的多余物与腔体壁撞击爆发噪声。
通过换能器检测噪声。试验要求将微电路最大的扁平面借助于粘附剂装置在换能器上 ，先施以峰值加速度为(9 800+-1 960)m／s2延续时间不大于100μs攻击脉冲。
然后再施以频串为40Hz一250Hz ，峰值加速度为196m／s2振动 ，随后再使攻击应力与振动应力同时施加和单独施加振动应力 ，交替进行一定次数 ，若检测出噪声 ，则体现微电路腔体内有可动多余物。
有的微电路内引线较长。长引线的颤抖也可能检测出噪声 ，改变振动频率 ，噪声有变革时其噪声往往是由长引线的颤抖爆发的。所用粘附剂应对其传送的机械能量有较小的衰减系数．攻击脉冲的峰值加速度、延续时间和次数应严格控制 ，不然试验可能是破坏性的。
静电放电敏感度试验
静电放电敏感度试验可以给出微电路蒙受静电放电的能力。它是破坏性试验。
试验要领是模拟人体、设备或器件放电的电流波形 ，按划定的组合及顺序对微电路的各引出端放电。寻找出傲电路爆发损伤的阀值静电放电电压。以微电路敏感电参数的变革量凌驾划定值的最小静电放电电压 ，作为微电路抗静电放电的能力的表征值。
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