光电探测器是一种能够将光信号转换成电信号的器件，它的结构和光电二极管类似，可是在其PN结上添加了更多的高掺杂层，从而提高了其灵敏度和响应速度。广泛应用于通信、盘算机、医疗、能源和环保等领域。

　　光电探测器的功效是把微弱的光信号转换成电信号，然后经过放大器将电信号放大，从而抵达检测光信号的目的。光敏电阻是最早生长的一种光电探测器。它利用了半导体受光照后电阻变小的效应。别的，光电二极管、光电池都可以用作光电探测元件。十分微弱的光信号，可以用雪崩光电二极管来探测。它是把一个PN结偏置在接近雪崩的偏压下，微弱光信号所引发的少量载流子通过接近雪崩的强场区，由于碰撞电离而数量倍增，因而获得一个较大的电信号。除了光电探测器外，另有与它类似的用半导体制成的粒子探测器。

　　半导体发光二极管的结构是一个PN结，它正向通电流时，注入的少数载流子靠复合而发光。它可以发出绿光、黄光、红光和红外线等。所用的质料有GaP、GaAs、GaAs1-xPx、Ga1-xAlxAs、In1-xGaxAs1-yPy等。

　　如果使高效率的半导体发光管的发光区处在一个光学谐振腔内，则可以获得激光输出。这种器件称为半导体激光器或注入式激光器。最早的半导体激光器所用的PN结是同质结，以后接纳双异质结结构。双异质结激光器的优点在于它可以使注入的少数载流子被限制在很薄的一层有源区内复合发光，同时由双异质结结构组成的光导管又可以使爆发的光子也被限制在这层有源区内。因此双异质结激光器有较低的阈值电流密度，可以在室温下连续事情。

　　当光线投射到一个PN结上时，由光引发的电子空穴对受到PN结四周的内在电场的作用而向相反偏向疏散，因此在PN结两端爆发一个电动势，这就成为一个光电池。把日光转换成电能的日光电池很受人们重视。最先应用的日光电池都是用硅单晶制造的，本钱太高，不可大宗推广使用。国际上都在寻找本钱低的日光电池，用的质料有多晶硅和无定形硅等。

利用半导体的其他特性做成的器件另有热敏电阻、霍耳器件、压敏元件、气敏晶体管和外貌波器件等。